该产品采用压力连接，封接气密性≤1×10-9 Pam/s，可适应潮湿、盐雾等极端工作环境，彻底解决了用焊接和键合工艺引出电极的IGBT模块抗冲击振动、绝缘、散热和耐疲劳差的技术难题。

全压接平板多台架IGBT陶瓷管壳具有多台架结构，便于IGBT芯片和FRD芯片的并联和反并联，易于大电流IGBT的制造。其芯片不用焊接和键合工艺，全部用压力连接(简称全压接)方式引出发射极、集电极和栅极。电极引出牢固，提高了抗冲击振动、双面散热和耐疲劳的能力。因无焊料，不存在“热-机械”应力，所以功率循环与热循环能力更好。并采用可冷压焊的陶瓷外壳替代了硅凝脂、环氧树脂的密封方法，使得IGBT模块具有优越的密封性能，封接气密性≤1×10-9 Pam/s，可以很好地适应潮湿、盐雾等极端恶劣工作环境。在平板IGBT模块中，省掉了IGBT芯片与电极间的铝丝，缩短了芯片与电极间的电流通路并增大了两者之间的接触面积，大大减少了内部的分布电感，使得IGBT器件的高频特性会更好；压接型封装绝缘特性更好，使其适合高压IGBT的封装。